N-Kanal-Transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

N-Kanal-Transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.25fr
5-24
1.03fr
25-49
0.95fr
50+
0.88fr
Menge auf Lager: 25

N-Kanal-Transistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 150pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: Suppressor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 6A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ZA. Kosten): 70pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MOS-Typ (L2.TT.MOSV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2615
29 Parameter
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.33 Ohms
Gehäuse
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89 ( 2-5K1B )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
150pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Feldeffekttransistor
G-S-Schutz
Suppressor
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
6A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
ZA
Kosten)
70pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.5W
RoHS
ja
Td(off)
150 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
MOS-Typ (L2.TT.MOSV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba