N-Kanal-Transistor 2SK2625LS, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK2625LS, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
5.13fr
5-9
4.73fr
10-24
4.38fr
25-49
4.10fr
50+
3.64fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor 2SK2625LS, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2625. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2625LS
29 Parameter
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
1mA
Einschaltwiderstand Rds On
2 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FI
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
700pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Ultrahigh-Speed Switching
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) min.
3.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K2625
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
50 ns
Td(on)
20 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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