N-Kanal-Transistor 2SK2723, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

N-Kanal-Transistor 2SK2723, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
2.51fr
5-24
2.30fr
25-49
2.11fr
50+
1.91fr
Menge auf Lager: 74

N-Kanal-Transistor 2SK2723, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 28m Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 830pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochstromschaltung. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kosten): 430pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Td(off): 100 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Feldeffekt-Leistungstransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2723
28 Parameter
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
25A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
28m Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
830pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochstromschaltung
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kosten)
430pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
Td(off)
100 ns
Td(on)
21 ns
Technologie
Feldeffekt-Leistungstransistor
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
60 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Nec