N-Kanal-Transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-Kanal-Transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
3.67fr
5-9
3.36fr
10-24
3.14fr
25-49
2.97fr
50+
2.70fr
Menge auf Lager: 3

N-Kanal-Transistor 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1100pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2761
30 Parameter
ID (T=100°C)
5.5A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
1 Ohm
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1100pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kosten)
170pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Td(off)
75 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
500 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric