N-Kanal-Transistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
1.81fr
5-24
1.56fr
25-49
1.41fr
50-99
1.30fr
100+
1.16fr
Menge auf Lager: 45

N-Kanal-Transistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 470pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 7.5A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3566. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 720 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3566
30 Parameter
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
2.5A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
5.6 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
470pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
7.5A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3566
Kosten)
50pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
720 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba