N-Kanal-Transistor 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3667. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25