N-Kanal-Transistor 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

N-Kanal-Transistor 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
6.03fr
5-24
5.47fr
25-49
5.22fr
50-99
4.79fr
100+
4.36fr
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N-Kanal-Transistor 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 2. C(in): 96pF. Drain-Source-Schutz: nein. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 2.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3850. Kosten): 29pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3850TP-FA
27 Parameter
ID (T=25°C)
0.7A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
14 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
2
C(in)
96pF
Drain-Source-Schutz
nein
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
2.8A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K3850
Kosten)
29pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
15W
RoHS
ja
Td(off)
16 ns
Td(on)
9 ns
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo