N-Kanal-Transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-Kanal-Transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
3.34fr
5-24
2.95fr
25-49
2.49fr
50+
2.24fr
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N-Kanal-Transistor 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4012. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS VI). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
2SK4012-Q
29 Parameter
ID (T=25°C)
13A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.33 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2400pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Anwendungen von Schaltreglern
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
K4012
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Td(off)
95 ns
Td(on)
70 ns
Technologie
Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS VI)
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1000 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba