N-Kanal-Transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

N-Kanal-Transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.59fr
5-49
2.33fr
50-99
2.06fr
100+
1.88fr
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N-Kanal-Transistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 520pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 25A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52

AO3407A
27 Parameter
ID (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
4.1A
IDSS
1uA
IDSS (max)
4.1A
Einschaltwiderstand Rds On
0.052 Ohms
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
C(in)
520pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schalt- oder PWM-Anwendungen
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
25A
Kanaltyp
N
Kosten)
100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.4W
RoHS
ja
Td(off)
19 ns
Td(on)
7.5 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
11 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors