N-Kanal-Transistor AO4266E, SO8
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N-Kanal-Transistor AO4266E, SO8. Gehäuse: SO8. : erweitert. Aufladung: 6.5nC. Drain-Source-Spannung: 60V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 8.5A. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
AO4266E
12 Parameter
Gehäuse
SO8
erweitert
Aufladung
6.5nC
Drain-Source-Spannung
60V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
8.5A
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor