N-Kanal-Transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-Kanal-Transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.18fr
5-49
0.97fr
50-99
0.82fr
100+
0.73fr
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N-Kanal-Transistor AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1980pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: FET in SMPS, Lastschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. IDss (min): 0.02mA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: N. Kosten): 317pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 11.2 ns. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AO4710
30 Parameter
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
12.7A
IDSS (max)
20mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0098 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1980pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
FET in SMPS, Lastschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
12V
IDss (min)
0.02mA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
N
Kosten)
317pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3.1W
RoHS
ja
Td(off)
27 ns
Td(on)
5.5 ns
Technologie
„Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
11.2 ns
Vgs(th) max.
2.3V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors