N-Kanal-Transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-Kanal-Transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.78fr
5-49
0.62fr
50-99
0.52fr
100+
0.46fr
Menge auf Lager: 2298

N-Kanal-Transistor AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 951pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 96A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Kosten): 373pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Sehr niedriger RDS(on) bei 10VGS. Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 10.2 ns. Vgs(th) min.: 1.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AOD518
32 Parameter
ID (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
54A
IDSS (max)
5uA
Einschaltwiderstand Rds On
6m Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
951pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
DC/DC-Spannungswandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
96A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
2500
Kosten)
373pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1W
RoHS
ja
Spec info
Sehr niedriger RDS(on) bei 10VGS
Td(off)
18.5 ns
Td(on)
6.25 ns
Technologie
„Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
10.2 ns
Vgs(th) min.
1.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors