N-Kanal-Transistor AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

N-Kanal-Transistor AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
1.60fr
5-24
1.39fr
25-49
1.23fr
50-99
1.08fr
100+
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N-Kanal-Transistor AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 400V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 273pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 15A. Kanaltyp: N. Kosten): 16pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 172ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

AOD5T40P
26 Parameter
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
3.9A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
400V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
273pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
15A
Kanaltyp
N
Kosten)
16pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
52W
RoHS
ja
Td(off)
18 ns
Td(on)
17 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
172ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V