N-Kanal-Transistor AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

N-Kanal-Transistor AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.20fr
5-24
1.03fr
25-49
0.87fr
50+
0.79fr
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N-Kanal-Transistor AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. C(in): 655pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 95A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Kosten): 145pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. RoHS: ja. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AP40T03GP
29 Parameter
ID (T=100°C)
24A
ID (T=25°C)
28A
IDSS (max)
25uA
Einschaltwiderstand Rds On
25m Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55°C...+150°C
C(in)
655pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
95A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
40T03 GP
Kosten)
145pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
31.25W
RoHS
ja
Td(off)
16 mS
Td(on)
6 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power