N-Kanal-Transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

N-Kanal-Transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Menge
Stückpreis
1-2
33.38fr
3-4
32.10fr
5-9
29.68fr
10+
27.61fr
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N-Kanal-Transistor APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Spannung Vds(max): 500V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 7400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 176A. Kanaltyp: N. Kosten): 1000pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 450W. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35

Technische Dokumentation (PDF)
APT5010JVR
27 Parameter
ID (T=25°C)
44A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.10 Ohms
Gehäuse
ISOTOP ( SOT227B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOTOP ( SOT-227 )
Spannung Vds(max)
500V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
7400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
schnelles Schalten, geringe Leckage
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) min.
2V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
176A
Kanaltyp
N
Kosten)
1000pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
450W
Td(off)
54 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
Power MOSV
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
620 ns
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power