N-Kanal-Transistor APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 260W. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:35