N-Kanal-Transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

N-Kanal-Transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Menge
Stückpreis
1-4
0.24fr
5-24
0.19fr
25-49
0.16fr
50-99
0.14fr
100+
0.12fr
Menge auf Lager: 319

N-Kanal-Transistor BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 18mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 18V. Anzahl der Terminals: 4. C(in): 3pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. G-S-Schutz: ja. IDss (min): 2mA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: M90. Kosten): 1.2pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

BF990A
21 Parameter
ID (T=25°C)
30mA
IDSS (max)
18mA
Gehäuse
SOT-143
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-143
Spannung Vds(max)
18V
Anzahl der Terminals
4
C(in)
3pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung
G-S-Schutz
ja
IDss (min)
2mA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
M90
Kosten)
1.2pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
200mW
Technologie
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors