N-Kanal-Transistor BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. ID (T=25°C): 150mA. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 23pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 100V. Eigenschaften: -. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: BSS123-7-F. IDss (min): 10uA. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 150mA. Id(imp): 600mA. Information: -. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Kosten): 6pF. Leistung: 360mW. MSL: 1. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: unipolar. Rds on (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. RoHS: ja. Serie: -. Strömung abfließen: 170mA. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Vgs(th) min.: 1V. Widerstand auf den Staat: 6 Ohms. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31