N-Kanal-Transistor BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V

Technische Produktbeschreibung (BSS123):

Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Spannung Vds(max): 100V. IDSS (max): 100uA. ID (T=25°C): 150mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: ja. Polarität: unipolar. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Rds on (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. G-S-Schutz: nein. Td(off): 12 ns. IDss (min): 10uA. Leistung: 360mW. Td(on): 3 ns. Vgs (th) (max) @ id: 2.5V @ 250µA. Menge pro Karton: 1. Herstellerkennzeichnung: BSS123-7-F. Id(imp): 600mA. Widerstand auf den Staat: 6 Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Vgs(th) min.: 1V. Strömung abfließen: 170mA. Montageart: SMD. C(in): 23pF. MSL: 1. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): 1.8nC @ 10V. Kosten): 6pF. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Drain-Source-Spannung: 100V. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 150mA