N-Kanal-Transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

N-Kanal-Transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.36fr
5-49
1.24fr
50-99
1.16fr
100+
1.08fr
Menge auf Lager: 14

N-Kanal-Transistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT54. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 25pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kosten): 8.5pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BST72A
25 Parameter
ID (T=25°C)
0.19A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
5 Ohms
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT54
Spannung Vds(max)
100V
C(in)
25pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Very fast switching, Logic level compatible
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
0.01uA
Id(imp)
0.8A
Kanaltyp
N
Kosten)
8.5pF
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
0.83W
Td(off)
12 ns
Td(on)
3 ns
Technologie
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
30 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors