N-Kanal-Transistor BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-Kanal-Transistor BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
3.86fr
5-24
3.35fr
25-49
2.98fr
50+
2.89fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 750pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Power MOSFET SMPS. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 2uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 90pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUK455-600B
29 Parameter
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
20uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.1 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
750pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Power MOSFET SMPS
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
2uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
90pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
Td(off)
100 ns
Td(on)
10 ns
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
1200 ns
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors

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