N-Kanal-Transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

N-Kanal-Transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
2.62fr
5-24
2.49fr
25-49
2.36fr
50+
2.29fr
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N-Kanal-Transistor BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2230pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 347A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kosten): 510pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 166W. RoHS: ja. Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 62 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUK7611-55A-118
29 Parameter
ID (T=100°C)
61A
ID (T=25°C)
75A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.009 Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-404
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2230pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
347A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Kosten)
510pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
166W
RoHS
ja
Td(off)
84 ns
Td(on)
18 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
62 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors