N-Kanal-Transistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Betriebstemperatur: -50...+150°C. C(in): 460pF. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 11.5A. Kanaltyp: N. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Siemens. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57