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N-Kanal-Transistor BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V
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N-Kanal-Transistor BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Hinweis: <100/220ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS (F). Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: --. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUZ80AF
12 Parameter
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.1A
IDSS (max)
2.1A
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Spannung Vds(max)
800V
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Hinweis
<100/220ns
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Technologie
V-MOS (F)
Transistortyp
MOSFET