N-Kanal-Transistor DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V

N-Kanal-Transistor DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V

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N-Kanal-Transistor DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 590/631pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 6A/-4.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V/-2V. Herstellerkennzeichnung: C3025LS. Komponentenfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Zetex. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:25

Technische Dokumentation (PDF)
DMHC3025LSD-13
16 Parameter
Gehäuse
SO8
Drain-Source-Spannung Uds [V]
30V/-30V
Anzahl der Terminals
8:1
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
14.5/28.2 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
590/631pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
6A/-4.2A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
11.2 ns/7.5 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
1.2V/-2V
Herstellerkennzeichnung
C3025LS
Komponentenfamilie
MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.5W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Zetex