N-Kanal-Transistor FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-Kanal-Transistor FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
3.13fr
5-24
2.80fr
25-49
2.53fr
50-99
2.30fr
100+
1.99fr
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1148pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: ID pulse 33A. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kosten): 671pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:19

Technische Dokumentation (PDF)
FCP11N60
28 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.32 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
600V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1148pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
ID pulse 33A
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
1uA
Id(imp)
33A
Kanaltyp
N
Kosten)
671pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Td(off)
119 ns
Td(on)
34 ns
Technologie
SuperFET MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
390 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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