N-Kanal-Transistor FDA24N40F, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V

N-Kanal-Transistor FDA24N40F, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V

Menge
Stückpreis
1-9
5.48fr
10-24
5.07fr
25-49
4.72fr
50-99
4.45fr
100+
3.96fr
Menge auf Lager: 60

N-Kanal-Transistor FDA24N40F, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2280pF. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA24N40F. Kosten): 370pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

FDA24N40F
25 Parameter
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.15 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
400V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2280pF
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FDA24N40F
Kosten)
370pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
235W
RoHS
ja
Td(off)
120ns
Td(on)
40 ns
Technologie
UniFET MOSFET, DMOS technology
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
110 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild