N-Kanal-Transistor FDA69N25, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

N-Kanal-Transistor FDA69N25, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
5.71fr
5-14
5.16fr
15-29
4.74fr
30-59
4.39fr
60+
3.97fr
Menge auf Lager: 32

N-Kanal-Transistor FDA69N25, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.034 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3570pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 276A. Kanaltyp: N. Kosten): 750pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 480W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FDA69N25
30 Parameter
ID (T=100°C)
44.2A
ID (T=25°C)
69A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.034 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
3570pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
PDP TV, AC/DC Converter
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
276A
Kanaltyp
N
Kosten)
750pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
480W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
95 ns
Technologie
UniFET MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
210 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild