N-Kanal-Transistor FDD5690, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 9A, 30A, 1uA, 0.023 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1110pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1110pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: DC/DC Converter, Low gate charge (23nC). G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: FDD5690. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD5690. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 150pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47