N-Kanal-Transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-Kanal-Transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.85fr
5-49
2.71fr
50-99
2.58fr
100+
2.28fr
Menge auf Lager: 293

N-Kanal-Transistor FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0088 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Vgs(th) max.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:19

FDD6296
22 Parameter
ID (T=25°C)
50A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0088 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
52W
RoHS
ja
Technologie
PowerTrench MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Vgs(th) max.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor