N-Kanal-Transistor FDD6635, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

N-Kanal-Transistor FDD6635, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Menge
Stückpreis
1-4
1.41fr
5-49
1.36fr
50-99
1.32fr
100+
1.27fr
Menge auf Lager: 82

N-Kanal-Transistor FDD6635, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 59A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD6635. Kosten): 317pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 55W. RoHS: ja. Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:19

Technische Dokumentation (PDF)
FDD6635
29 Parameter
ID (T=100°C)
15A
ID (T=25°C)
59A
IDSS (max)
59A
Einschaltwiderstand Rds On
0.016 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1400pF
Drain-Source-Schutz
Diode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FDD6635
Kosten)
317pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
55W
RoHS
ja
Td(off)
28 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
26 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild