N-Kanal-Transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-Kanal-Transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
2.97fr
5-24
2.62fr
25-49
2.31fr
50+
2.12fr
Menge auf Lager: 258

N-Kanal-Transistor FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 8.2M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 5070pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kosten): 550pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FDD6672A
29 Parameter
ID (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
65A
IDSS (max)
1uA
Einschaltwiderstand Rds On
8.2M Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
5070pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
DC/DC-Spannungswandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
12V
Hinweis
Transistor mit Logikpegel-Gate
Id(imp)
100A
Kanaltyp
N
Kosten)
550pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Td(off)
69 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
Power Trench MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild