N-Kanal-Transistor FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 9.8m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1205pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Logikpegelsteuerung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Kosten): 290pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00