N-Kanal-Transistor FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=25°C): 8.2A. IDSS (max): 8.2A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF/600pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 8.2A/6.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Funktion: 6.9A, Rds-on 0.027 Ohms (Q1). Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: FDS6900AS. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Spec info: 8.2A, Rds-on 0.022 Ohms (Q2). Technologie: Dualer N-Kanal-MOSFET-Transistor „PowerTrench – SyncFET“. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41