N-Kanal-Transistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V

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N-Kanal-Transistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 940pF. CE-Diode: nein. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGB20N60SF. Kollektorstrom: 40A. Kosten): 110pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

FGB20N60SF

26 Parameter

Ic(T=100°C)

20A

Gehäuse

D2PAK ( TO-263 )

Gehäuse (laut Datenblatt)

D2-PAK

Kollektor-/Emitterspannung Vceo

600V

Anzahl der Terminals

Betriebstemperatur

-55...+150°C

C(in)

940pF

CE-Diode

nein

Funktion

Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC

Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.

4 v

Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.

6.5V

Gate/Emitter-Spannung VGE

20V

Germaniumdiode

nein

Hinweis

N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor

Ic(Impuls)

60A

Kanaltyp

Kennzeichnung auf dem Gehäuse

FGB20N60SF

Kollektorstrom

40A

Kosten)

110pF

Montage/Installation

oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Pd (Verlustleistung, max)

208W

RoHS

Sättigungsspannung VCE(sat)

2.4V

Td(off)

90 ns

Td(on)

12 ns

Originalprodukt vom Hersteller

Fairchild