N-Kanal-Transistor FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V

N-Kanal-Transistor FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
10.45fr
5-19
9.92fr
20-39
9.00fr
40+
8.57fr
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N-Kanal-Transistor FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2820pF. CE-Diode: nein. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 180A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SF. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 350pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 378W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FGH60N60SFTU
28 Parameter
Ic(T=100°C)
60A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2820pF
CE-Diode
nein
Funktion
Induction Heating, UPS, SMPS, PFC
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
4 v
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
180A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FGH60N60SF
Kollektorstrom
60.4k Ohms
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
350pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.9V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
378W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.3V
Td(off)
134 ns
Td(on)
22 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild