N-Kanal-Transistor FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V

N-Kanal-Transistor FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V

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N-Kanal-Transistor FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2150pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA10N80C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 240W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 730 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA10N80C
32 Parameter
ID (T=100°C)
6.32A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.93 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2150pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
FQA10N80C
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
240W
RoHS
ja
Td(off)
90 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
730 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild