N-Kanal-Transistor FQA13N50CF, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-Kanal-Transistor FQA13N50CF, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
4.22fr
5-9
3.83fr
10-24
3.52fr
25-49
3.29fr
50+
2.93fr
Menge auf Lager: 22

N-Kanal-Transistor FQA13N50CF, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.43 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1580pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: N. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 218W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA13N50CF
30 Parameter
ID (T=100°C)
9.5A
ID (T=25°C)
15A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.43 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1580pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
N
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
218W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
DMOS-Technologie
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild