N-Kanal-Transistor FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

N-Kanal-Transistor FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
7.70fr
5-14
7.13fr
15-29
6.36fr
30+
5.83fr
Menge auf Lager: 19

N-Kanal-Transistor FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4200pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 94A. Kanaltyp: N. Kosten): 550pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA24N60
29 Parameter
ID (T=100°C)
14.9A
ID (T=25°C)
23.5A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.18 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4200pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 90 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
94A
Kanaltyp
N
Kosten)
550pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
310W
RoHS
ja
Td(off)
200 ns
Td(on)
90 ns
Technologie
DMOS-Technologie
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
470 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild