N-Kanal-Transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V

N-Kanal-Transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V

Menge
Stückpreis
1-4
3.53fr
5-9
3.19fr
10-29
2.98fr
30-59
2.76fr
60+
2.46fr
Menge auf Lager: 308

N-Kanal-Transistor FQA28N15, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.067 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1250pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaltyp: N. Kosten): 260pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 227W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA28N15
30 Parameter
ID (T=100°C)
23.3A
ID (T=25°C)
33A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.067 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1250pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 40 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
132A
Kanaltyp
N
Kosten)
260pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
227W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
DMOS-Technologie
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild