N-Kanal-Transistor FQA62N25C, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V

N-Kanal-Transistor FQA62N25C, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
6.46fr
5-14
5.87fr
15-29
5.21fr
30+
4.80fr
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N-Kanal-Transistor FQA62N25C, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4830pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 248A. Kanaltyp: N. Kosten): 945pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQA62N25C
30 Parameter
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
62A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.029 Ohms
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PN
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4830pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
248A
Kanaltyp
N
Kosten)
945pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
298W
RoHS
ja
Td(off)
245 ns
Td(on)
75 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
340 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild