N-Kanal-Transistor FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.258 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 220pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 5.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQD7N10L. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41