N-Kanal-Transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-Kanal-Transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
5.30fr
5-14
4.98fr
15-29
4.68fr
30-59
4.40fr
60+
3.89fr
Menge auf Lager: 12

N-Kanal-Transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1580pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 195W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQP13N50C
31 Parameter
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.39 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1580pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
195W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC)
Td(off)
130 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET)
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
410 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild