N-Kanal-Transistor FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-Kanal-Transistor FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
2.06fr
5-24
1.80fr
25-49
1.60fr
50+
1.41fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 63

N-Kanal-Transistor FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.57 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1290pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 26.4A. Kanaltyp: N. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQP7N80C
29 Parameter
ID (T=100°C)
4.2A
ID (T=25°C)
6.6A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.57 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1290pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 27 nC, niedriger CrSS 10 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
26.4A
Kanaltyp
N
Kosten)
120pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
167W
RoHS
ja
Td(off)
50 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
650 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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