N-Kanal-Transistor FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 955pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 59W. Produktionsdatum: 201432. RoHS: ja. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41