N-Kanal-Transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 9.3 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 130pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQT1N60C. Kosten): 19pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. RoHS: ja. Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19