N-Kanal-Transistor FS75R12KE3GBOSA1, 75A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 122x62x17.5mm. Anzahl der Terminals: 35. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 5300pF. CE-Diode: ja. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: 6x IGBT+ CE Diode. Ic(Impuls): 150A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FS75R12KE3G. Kollektorstrom: 100A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 355W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Originalprodukt vom Hersteller: Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19