N-Kanal-Transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andere, andere, 1200V

N-Kanal-Transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andere, andere, 1200V

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N-Kanal-Transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 7. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 74pF. CE-Diode: ja. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 2400A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 1790A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 7150W. RoHS: nein. Schwellenspannung Vf (max): 2.35V. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:25

Technische Dokumentation (PDF)
FZ1200R12HP4
25 Parameter
Ic(T=100°C)
1200A
Gehäuse
andere
Gehäuse (laut Datenblatt)
andere
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
1200V
Anzahl der Terminals
7
Betriebstemperatur
-40...+125°C
C(in)
74pF
CE-Diode
ja
Durchlassspannung Vf (min)
1.8V
Funktion
ICRM--Tp=1mS 2400A
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
5.8V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
2400A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
1790A
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
7150W
RoHS
nein
Schwellenspannung Vf (max)
2.35V
Spec info
VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C)
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.7V
Td(off)
0.92 ns
Td(on)
0.41 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Eupec/infineon