N-Kanal-Transistor GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P( GCE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+150°C. CE-Diode: ja. Funktion: „Stromresonanz-Wechselrichterschaltung“. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 100A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19