N-Kanal-Transistor GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 100A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 37A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Temperatur: +150°C. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19