N-Kanal-Transistor HGTG12N60C3D, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor HGTG12N60C3D, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
4.30fr
5-9
3.80fr
10-24
3.21fr
25+
2.88fr
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N-Kanal-Transistor HGTG12N60C3D, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 96A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G12N60C3D. Kollektorstrom: 24A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: nein. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HGTG12N60C3D
23 Parameter
Ic(T=100°C)
12A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
ja
Funktion
UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
6V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
96A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
G12N60C3D
Kollektorstrom
24A
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
104W
RoHS
nein
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.65V
Td(off)
270 ns
Td(on)
14 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild